久久精品国产亚洲AV麻豆导航,久久精品国产免费播蜜桃,亚洲AV午夜福利精品一区,无码国产精品一区二区AV,久久96热在精品国产高清

光刻膠(Resist或PhotoResist,簡(jiǎn)稱(chēng)PR)?又稱(chēng)光致抗蝕劑是一種有機化合物它受紫外光、準分子激光、電子束、離子束、射線(xiàn)等光源曝光后在顯影液中的溶解度會(huì )發(fā)生變化。光刻膠主要用于集成電路和半導體分立器件的微細加工同時(shí)在平板顯示、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過(guò)程中也有著(zhù)廣泛的應用。由于光刻膠具有光化學(xué)敏感性可利用其進(jìn)行光化學(xué)反應將光刻膠涂覆半導體、導體和絕緣體上，經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對底層起保護作用然后采用蝕刻劑進(jìn)行蝕刻就可將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工的襯底上。因此光刻膠是微細加工技術(shù)中的關(guān)鍵性化工材料?？涛g以后的步驟之一是去除光刻膠，光刻膠用來(lái)作為從光刻掩膜版到硅片表面的圖形轉移媒介以及被刻蝕區域或被離子注入區域的阻擋層。一旦刻蝕或注入完成，光刻膠在硅片表面就不再有用必須完全去除。

光刻膠去除（PhotoResist Removal）

光刻膠去除技術(shù)在微電子工業(yè)中占有非常重要的地位，集成電路制造工藝的去膠的好壞直接影響產(chǎn)品的成品率及器件和電路的制造成本。主要方法有濕法去膠和干法去膠。干法去膠是用氧氣等離子體灰化（O2 Plasma Ashing）將光刻膠剝除。干法去膠有著(zhù)濕法去膠不可比擬的優(yōu)點(diǎn)，在現代半導體工業(yè)中被廣泛應用。

干法等離子去膠

等離子體又叫做電漿是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負帶電粒子組成的離子化氣體狀物質(zhì)。氣體中總存在一些微量的自由電子在外電場(chǎng)的作用下這些電子便加速運動(dòng)。當電子在外電場(chǎng)中獲得足夠的能量后與氣體分子發(fā)生碰撞時(shí)可以使氣體分子電離而發(fā)射出二次電子這些二次電子又可進(jìn)一步與氣體分子發(fā)生碰撞電離產(chǎn)生更多的電子和離子在這同時(shí)由于又存在電子與離子相復合的逆過(guò)程電離與復合這兩個(gè)過(guò)程最終必將達到一種平衡狀態(tài)出現穩定的輝光放電現象形成穩定的等離子體。

在放電過(guò)程中除了形成電子與離子之外還可產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子團這些東西統稱(chēng)為游離基。這種游離基具有高度的化學(xué)活性正是它們與被腐蝕材料的表面發(fā)生化學(xué)反應形成揮發(fā)性的產(chǎn)物使材料不斷被腐蝕。

作為被刻蝕的對象光刻膠可以理解為由碳、氫、氧、氮等元素組成的長(cháng)鏈有機聚合物，干法去膠主要利用氧等離子體將光刻膠灰化掉。

O2在室溫下不顯著(zhù)侵蝕光刻膠，但在等離子去膠機中氧氣被電離成O2-、O2+、O-、O+、氧原子O、臭氧等活潑的等離子體，其中氧原子能量很高，在高頻電場(chǎng)的輔助下可以使基片上的光致抗蝕劑與其快速發(fā)生氧化反應生成CO、CO2、H2O和其它揮發(fā)性氧化物，被真空泵抽走，實(shí)現去膠的目的。

CxHy＋O→CO↑＋CO2↑+H2O↑

與此同時(shí)氧離子對光刻膠進(jìn)行物理轟擊破壞光刻膠表面形貌移除松散結合的原子并增強刻蝕產(chǎn)物的解吸附過(guò)程加快氧原子與光刻膠表面的反應。

氧氣等離子去膠效果

等離子灰化前

PR厚度：3.407 μm

1分鐘等離子灰化

PR 厚度：2.514 μm | 蝕刻深度：0.893 μm

2分鐘等離子灰化

PR 厚度：1.505 μm | 蝕刻深度：1.902 μm

5分鐘等離子灰化

PR 厚度：264.6 nm | 蝕刻深度：3.142 μm

7分鐘等離子灰化

PR 厚度：212.2 nm | 蝕刻深度：3.195 μm