產品簡介
ICP電感耦合晶圓等離子去膠機,是半導體微納加工領域的高效干法去膠解決方案,專為晶圓光刻膠去除工藝打造,以全自動化作業與高精度工藝表現,適配半導體、MEMS、光電器件等領域的量產與研發需求。設備搭載雙料匣儲料設計,配合高精度自動機械手完成晶圓上下料全程自動化操作,雙料倉交替供料實現無間斷作業,大幅減少人工干預、降低人力成本,同時提升產線流轉效率;機械手精準定位傳輸,有效避免晶圓接觸式損傷,保障制程良率。核心等離子去膠單元采用先進干法工藝,真空腔體內高能等離子體快速分解光刻膠并轉化為揮發性氣體排出,全程無化學溶劑殘留、無酸廢水排放,環保且讓晶圓表面潔凈無劃痕;搭配精準的工藝參數調控與均勻的等離子體分布,實現高去膠速率與優異的工藝均勻性,水冷電極冷卻系統精準控溫,避免光刻膠變性,滿足正 / 負性光刻膠、PI 光刻膠等多種膠層的高效去除需求。設備集自動化、高精度、高穩定性于一體,操作便捷且工藝可追溯,為晶圓加工提供高效、潔凈、可靠的去膠工藝支撐,助力產線智能化升級與制程效率提升。
產品參數
| 產品進料/收料方式 | 雙料匣(4寸),單進單收 |
| 真空腔體尺寸 | W220*L220*H160 |
| 主體設備尺寸 | 1600mm(L)×1000(W) ×1800 mm(H) |
| 料爪升降行程 | 50 |
| 通油電極盤 | ?130 |
| 機器人 | 晶圓機器手0.8KG負載,真空吸附手指兼容4寸/3寸 |
| 電源 | 380V、50 Hz |
| 壓縮空氣 | 0.4-0.6MPa |
| 環境需求 | 溫度:15~25℃濕度:40~60% |
| 工藝氣體 | 氧氣 氬氣 氮氣 四氟化碳(4路) |
| 破空氣體 | 氮氣破空 |
| 可去膠產品規格 | 4寸/3寸 |
| 等離子效應 | ICP(電感耦合)+CCP(電容耦合RF偏壓) |
| 控制方式 | PLC+觸摸屏 |
| 離子源 | 射頻13.56MHZ ICP功率1000W,CCP功率1000W數字電路,MES數據監控 |
| 極限真空度 | <10pa |
| 電極盤溫度 | 0-100℃ |
| 控溫精度 | ±3℃ |
| 真空泵 | 干泵機組240m3/H |
Copyright@ 2024深圳納恩科技有限公司 All Rights Reserved|
Sitemap
| Powered by
| 粵ICP備2022035280號www.wujidianzi.net.cn | 備案號:粵ICP備2022035280號www.wujidianzi.net.cn