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低壓等離子體清洗與等離子體刻蝕工藝相似,都是利用等離子體產(chǎn)生的活性粒子,與材料表面發(fā)生反應從而去除材料表面的物質(zhì)。但對于等離子清洗技術(shù)所需求的離子能量相比于等離子刻蝕工藝低,等離子刻蝕工藝去除的材料是固體材料(如硅基材料等),其利用具有離子轟擊協(xié)同作用的化學(xué)反應,有效的利用荷能離子來(lái)增強刻蝕反應速率,稱(chēng)為反應離子刻蝕。然而等離子清洗工藝需要控制離子轟擊的作用,防止離子轟擊能量過(guò)大破壞材料表面。

等離子清洗與等離子刻蝕的區別

下面通過(guò)對下圖1等離子清洗原理圖，與下圖2等離子刻蝕原理圖進(jìn)行講解，來(lái)幫助更好的理解等離子清洗與等離子刻蝕的區別。

圖1等離子清洗原理

圖2 等離子刻蝕原理

從圖1可以看出，等離子清洗主要是用來(lái)去除材料表面多余的污染物，而不對材料本身產(chǎn)生影響。通過(guò)等離子清洗，材料表面吸附的臟污得到了有效去除。

從圖2可以看出，等離子刻蝕主要是為了去除基體材料從而獲得所需形狀。等離子體刻蝕法的原理是通過(guò)反應性等離子體氣體從基材表面選擇性去除材料，因而是一種選擇性刻蝕。

等離子清洗與等離子刻蝕工藝的主要區別如下：

目的

等離子清洗：主要目的是去除物體表面的污染物，如有機物、氧化物、油污、顆粒等，以提高表面的清潔度和活性，為后續的粘接、焊接、涂覆、光刻等工藝提供良好的表面條件。例如，在電子元器件制造中，清洗芯片表面的雜質(zhì)，確保芯片封裝時(shí)的良好連接。

等離子刻蝕：用于選擇性去除材料，以形成特定圖案或結構。在半導體制造、微機電系統（MEMS）制造等領(lǐng)域，用于在晶圓或其他材料上刻蝕出復雜的電路圖案、微通道、微結構等。比如制造集成電路時(shí)，在硅片上刻蝕出晶體管、布線(xiàn)等結構。

對材料的影響

等離子清洗：僅影響表面幾納米，不改變材料整體性質(zhì)。對材料表面的損傷較小，主要是去除表面的污染物，一般不會(huì )改變材料的本體結構和性能，只是改善表面的清潔度和活性。

等離子刻蝕：會(huì )顯著(zhù)改變材料表面形貌和結構。對材料的微觀(guān)結構和性能可能產(chǎn)生較大影響，例如改變材料的表面形貌、粗糙度、電學(xué)性能等，在刻蝕過(guò)程中需要精確控制工藝參數，以確?？涛g的精度和對材料性能的影響在設計要求范圍內。

氣體選擇

等離子清洗：常用氧氣、氬氣、氫氣等，主要起清潔和改性作用。

等離子刻蝕：使用氟基、氯基等氣體，針對不同材料進(jìn)行刻蝕。

以上就是關(guān)于等離子清洗和等離子刻蝕區別的主要介紹，等離子清洗可等離子刻蝕都是低溫等離子體技術(shù)在材料表面處理方面的應用。其最主要的區別就是，一個(gè)是去除材料本身不需要的部分，一個(gè)是去除材料表面附著(zhù)的污染部分。