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在目前的太陽能硅基電池的生產過程中，廣泛地使用了PECVD工藝(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)來沉積各種工藝薄膜，即等離子體增強化學的氣相沉積法。其中PECVD工藝按照不同的沉積薄膜又分為：1)常規的電池表面的減反射膜即氮化硅薄膜(SiNx)；2)PERC電池(Passivated Emitterand Rear Cell)，意思是"鈍化發射器和后部接觸"的太陽能電池中的三氧化二鋁(Al2O3)和氮化硅(SiNx)的復合薄膜或氮氧化硅(SiNO)薄膜；3)TOPcon(隧穿氧化層鈍化接觸，Tunnel Oxide Passivated Contact)太陽能電池中的非晶薄膜。

在PECVD的使用中，用到了石墨舟作為工裝載具。石墨舟主要起到的作用是乘載硅片，并且在工藝過程中通電并促使等離子體輝光放電，產生工藝反應。并且在反應中，石墨舟也會被沉積上反應產生的膜，并且在重復使用中，薄膜沉積越來越厚，最后影響了石墨舟的導電性能，進入影響了沉積薄膜的工藝質量。故石墨舟到了一定的使用壽命，需要安排進行清洗，去除表面沉積的各種副產品薄膜。

目前清洗石墨舟的常規工藝是使用一定比例(25％±5％)的HF溶液泡洗石墨舟，然后用DI(去離子水)漂洗石墨舟，最后在烘箱中將石墨舟烘干，這三個過程每個過程時間均為8±2小時左右，也就是說完整的濕法清洗一個石墨舟的時間約為24小時左右。

目前清洗石墨舟都是采用的濕法清洗工藝，現有技術存在四大弊端：

一、清洗時間過長，濕法清洗一個石墨舟直到烘干需要24小時左右，為此企業需要多購買用于周轉的石墨舟，帶來了高昂的成本代價；

二、成本高，成本主要包含1)化學品費用，2)能耗費用和純水費用，3)人工費用，4)因為清洗時間長，企業一般要多買實際用量的2倍左右的石墨舟參與周轉；

等離子體刻蝕清洗石墨舟上沉積的鍍層

為解決現有技術的缺陷，可采用等離子體干法刻蝕工藝，來清洗光伏生產用石墨舟，等離子刻蝕清洗主要通過等離子體清洗系統產生的等離子體轟擊石墨舟表面膜層，并配合等離子體氣體基團在石墨片表面吸附，并與表面膜層產生化學反應(CVD)，最終實現清除石墨舟上沉積的薄膜。

等離子清洗工作流程與原理如下

1)通過自動化設備將石墨舟送入工藝腔體內，然后封閉工藝腔體，此時工藝腔體內部為常溫常壓；

2)然后通過真空抽氣系統(包括干泵)對工藝腔體抽真空，直至真空壓力到達預定壓力(如20pa)。

3) 然后啟動供氣系統供應工藝氣體，工藝氣體采用含氟氣體或含氟氣體與氧氣的混合氣體，含氟氣體選自CF4、CHF3、SF6、NF3、C2F6中的一種或幾種；同時開啟射頻電源，根據石墨舟上要刻蝕清除的薄膜厚度調整輝光時間，直至石墨舟表面的薄膜被徹底清除干凈；

等離子清洗石墨舟沉積膜層原理

主要是利用氟等離子體與石墨舟上的非晶硅發生反應，產生SiF4氣體，從而達到清洗石墨舟的目的。

例如采用NF3清洗硅薄膜（Si），生成氟化硅（SiF4）和氮氣（N2），其反應原理為：

3Si+4NF₃=3SiF₄↑+2N₂↑

等離子清洗技術能解決傳統太陽能電池制造工藝中對石墨舟實施濕法清洗工藝的弊端，采用等離子體干法刻蝕工藝，徹底取代傳統的濕法清洗，帶來了極大的便利，成本大大降低，效率加快，更加節能環保，占地更小。